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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展！

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

北京大學許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

Chiplet成半導(dǎo)體性能提升重要路徑

中科院宣布，光計算芯片領(lǐng)域新突破！

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

國際團隊開發(fā)出一種“3D光量子存儲器”原創(chuàng)技術(shù)

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進展

基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

上海光機所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

臺積2納米試產(chǎn) 有動作了

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》

簡述半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過技術(shù)鑒定

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

廈門大學團隊發(fā)表Mini-LEDs非接觸檢測新技術(shù)

廈門大學張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進展

中國科大參與實現(xiàn)“超快調(diào)速”自旋量子比特

廈大團隊在Micro-LED全彩顯示技術(shù)方面取得突破

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)取得重大技術(shù)突破

南科大化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應(yīng)用

南京郵電大學氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

國內(nèi)首次太赫茲軌道角動量的實時無線傳輸通信實驗完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破

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