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突破！中國(guó)科大研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性開(kāi)發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)！

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半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進(jìn)展

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從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動(dòng)下 PBN（熱解氮化硼）市場(chǎng)需求空間廣闊

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

南科大電子系化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

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簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團(tuán)隊(duì)利用藍(lán)紫光LED泵浦實(shí)現(xiàn)雙波長(zhǎng)放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

華中科技大學(xué)又一篇Science

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

簡(jiǎn)述氮化鎵的合成制備及展望

2022年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

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清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

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簡(jiǎn)述通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提高開(kāi)關(guān)電源功率密度

長(zhǎng)春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

廈大課題組在有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

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