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CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無(wú)忌:GaN“上車”之路——氮化鎵在電動(dòng)汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢(shì)
評(píng)論 ?
2025-05-15 10:20
深圳市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立
評(píng)論 ?
2025-05-14 17:41
鄔賀銓院士:人工智能重塑萬(wàn)億元終端產(chǎn)業(yè)
評(píng)論 ?
2025-05-14 17:08
CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊:GaN和Ga2O3中的多維器件 超結(jié)、多溝道和FinFET
評(píng)論 ?
2025-05-14 15:21
CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-14 15:18
CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng):功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-14 15:16
CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫:面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
評(píng)論 ?
2025-05-14 11:57
CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕:基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究
評(píng)論 ?
2025-05-14 11:56
CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉:基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究
評(píng)論 ?
2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇:碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)
評(píng)論 ?
2025-05-14 10:08
中國(guó)管制中重稀土相關(guān)物項(xiàng)出口后 首次批出口許可證
評(píng)論 ?
2025-05-14 08:51
CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛:金剛石材料研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-13 14:51
CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施?。篠iC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)
評(píng)論 ?
2025-05-13 13:49
中國(guó)AI計(jì)算迎來(lái)重大突破!首批AGC架構(gòu)智算整機(jī)問(wèn)世
評(píng)論 ?
2025-05-13 11:29
CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾王川寶:SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-13 10:35
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓:基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究
評(píng)論 ?
2025-05-13 10:33
Luceda China總經(jīng)理曹如平:AI時(shí)代光電子集成電路設(shè)計(jì)新風(fēng)向
Luceda
China
曹如平
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
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評(píng)論 ?
2025-05-13 10:01
商務(wù)部:中美各取消91%關(guān)稅,各暫緩24%
評(píng)論 ?
2025-05-13 09:01
商務(wù)部新聞發(fā)言人就中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會(huì)談聯(lián)合聲明發(fā)表談話
評(píng)論 ?
2025-05-12 17:26
CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體董事長(zhǎng)唐為華將做大會(huì)報(bào)告
評(píng)論 ?
2025-05-12 15:57
中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會(huì)談聯(lián)合聲明
評(píng)論 ?
2025-05-12 15:41
CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍:p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控
評(píng)論 ?
2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超:1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
評(píng)論 ?
2025-05-12 14:56
CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通:基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)
評(píng)論 ?
2025-05-12 14:40
CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究
評(píng)論 ?
2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬:集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)
評(píng)論 ?
2025-05-12 13:41
CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科:低成本GaN基GaN功率器件
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:11
CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇:破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開(kāi)啟未來(lái)產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:03
中美達(dá)成重要共識(shí),5月12日發(fā)布聯(lián)合聲明
評(píng)論 ?
2025-05-12 08:32
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