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澳大利亞格里菲斯大學Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征

日本名古屋大學宇治原徹：CFD模擬預測系統(tǒng)在SiC生長中的應用

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科技部部長王志剛：完善科技創(chuàng)新體制機制

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進展

深圳第三代半導體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復合提高層”設計

華北電力大學李學寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

重慶大學曾正:碳化硅功率模塊的先進封裝測試技術

浙江大學任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

廈門大學邱宇峰教授：碳化硅功率半導體器件在電力系統(tǒng)中的應用

中山大學黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學特性的影響研究

英諾賽科謝文元：八英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進展

電子科技大學教授周琦：基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質(zhì)結與混合陽極二極管技術的功率整流器與微波混頻器

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