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NCT成功開(kāi)發(fā)一種DG氧化鎵晶體生長(zhǎng)法，有望將氧化鎵襯底成本降低九成！

中國(guó)科學(xué)院微電子所在4H/3C-SiC 單晶復(fù)合襯底與器件方面取得重要進(jìn)展

晶旭半導(dǎo)體王鋼：硅襯底氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及應(yīng)用

全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)——2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

報(bào)告前瞻|雷曼光電屠孟龍：無(wú)襯底Micro LED顯示應(yīng)用趨勢(shì)與技術(shù)進(jìn)展

鎵仁半導(dǎo)體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來(lái)

晶盛機(jī)電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

年產(chǎn)值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目，已全面達(dá)產(chǎn)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

攻克行業(yè)空白！中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長(zhǎng)、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽(yáng)：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|天科合達(dá)劉春俊：大尺寸碳化硅襯底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長(zhǎng)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵襯底質(zhì)量檢測(cè)結(jié)果揭曉，國(guó)際領(lǐng)先！

特凱斯碳化硅原材料及碳化硅襯底項(xiàng)目簽約浙江仙居

超芯星革新性推出8mΩ·cm低阻碳化硅襯底

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

華芯晶電獲批合物半導(dǎo)體單晶襯底制備技術(shù)山東省工程研究中心

天岳先進(jìn)開(kāi)啟招股，擬募資約18億擴(kuò)張大尺寸SiC襯底產(chǎn)能

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標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開(kāi)關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

創(chuàng)盛年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)

投資15億元！年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目備案

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)6英寸斜切氧化鎵襯底制備

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天岳先進(jìn)：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃正在推進(jìn)中

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

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