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南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)際功率半導(dǎo)體會(huì)議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團(tuán)隊(duì)五項(xiàng)重要成果在功率器件頂級(jí)會(huì)議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

中國(guó)科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無(wú)閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

中國(guó)科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進(jìn)展

金剛石高溫日盲紫外探測(cè)器取得新進(jìn)展

國(guó)家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

廈門(mén)大學(xué)-廈門(mén)市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦窄帶光電探測(cè)器研究中取得重要突破

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出毫秒級(jí)可集成量子存儲(chǔ)器

中國(guó)科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過(guò)調(diào)控電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級(jí)4H-SiC紫外光電探測(cè)器

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測(cè)器研究中取得新進(jìn)展

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

清華大學(xué)化學(xué)系馬冬昕團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點(diǎn)深紅光器件

長(zhǎng)春光機(jī)所實(shí)現(xiàn)100 fJ/bit超低功耗高速垂直腔面發(fā)射激光器

長(zhǎng)春光機(jī)所優(yōu)化并制備出高亮度HiBBEE非均勻波導(dǎo)半導(dǎo)體激光器

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測(cè)

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

研制成功！我國(guó)團(tuán)隊(duì)在氧化鎵日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

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