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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯(cuò)演化機(jī)制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

我國(guó)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊(duì)Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

中國(guó)科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

中國(guó)科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊(duì)喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

廈大曹陽(yáng)教授團(tuán)隊(duì)在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應(yīng)性能研究方面取得進(jìn)展

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

北大許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進(jìn)展

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了接近體塊級(jí)質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

南科大化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動(dòng)下 PBN（熱解氮化硼）市場(chǎng)需求空間廣闊

南科大電子系化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

簡(jiǎn)述氮化鎵的合成制備及展望

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺(tái)達(dá)電子篇

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號(hào)探測(cè)

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

長(zhǎng)平時(shí)代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

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