國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請一項名為“一種p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法“，公開號CN117766561A，申請日期為2023年5月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法，該晶體管包括襯底及襯底上依次層疊的緩沖層、n溝道層、勢壘層、空穴提供層、勢壘插入層和p溝道層，柵極、源極和漏極位于p溝道層上，其中所述勢壘插入層的禁帶寬度相對于空穴提供層和p溝道層的禁帶寬度大，這樣勢壘插入層將會把空穴提供層的能帶壓下來進而使得該層內(nèi)空穴完全電離，并將完全電離的空穴轉(zhuǎn)到頂部p溝道層中，頂部p溝道層充當(dāng)p型導(dǎo)電溝道的作用，這增加了載流子密度，進而實現(xiàn)電流密度的增加。本發(fā)明既可以通過控制刻蝕深度來實現(xiàn)增強型器件，又可以通過勢壘插入層極化誘導(dǎo)底層空穴完全電離實現(xiàn)相對高的電流密度。