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國內(nèi)首家！廈門大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長！

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長集成

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過選擇性生長方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實(shí)現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題分析與設(shè)計(jì)建議

蘭大團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)設(shè)計(jì)我國首個極大規(guī)模全異步電路芯片流片試生產(chǎn)成功

生效條件正在變化，摩爾定律到盡頭了嗎？

半導(dǎo)體材料的點(diǎn)空位缺陷工程用于環(huán)境修復(fù)以及可持續(xù)能源生產(chǎn)

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)取得新突破

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)

中科院半導(dǎo)體所在氮化物材料生長界面研究方面取得新進(jìn)展

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廈門大學(xué)盧英華教授課題組JHM：UV輻照用于控制水工業(yè)設(shè)施生物膜綜述

芯片工藝獨(dú)立自主取得進(jìn)展，中芯國際或以40nm為華為生產(chǎn)芯片

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奧趨光電：氮化鋁單晶生長技術(shù)進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)

國產(chǎn)碳基半導(dǎo)體材料或創(chuàng)千億產(chǎn)業(yè)鏈，造160億碳化硅芯片生產(chǎn)線

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?廣東省微生物研究所攜手吉利汽車共筑汽車“健康產(chǎn)業(yè)”發(fā)展

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