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北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究取得進展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

上海光機所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

廈門大學(xué)張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進展

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

中國半導(dǎo)體十大研究進展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高靈敏X-射線探測

簡述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究

基于金剛石的先進熱管理技術(shù)研究進展

復(fù)旦研究團隊實現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過10Gbps通信速率

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進展

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進展

廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

國際首次！科研團隊在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團隊實現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

東大科研團隊3篇論文入選第70屆“芯片設(shè)計國際奧林匹克會議”（ISSCC）

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

突破！中國科大研究團隊創(chuàng)造性開發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進展

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團隊利用藍紫光LED泵浦實現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

東大團隊研究成果榮膺2022年度“中國半導(dǎo)體十大研究進展”

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