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AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運(yùn)行為研究和高效率器件研制

萬(wàn)伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室與西安理工大學(xué)合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進(jìn)展

天成半導(dǎo)體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所氮化物片上光通信集成系統(tǒng)研制取得新進(jìn)展

國(guó)際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

雷電微力：研制低成本低剖面氮化鎵組件部分已量產(chǎn)

中國(guó)科大研制出高效超穩(wěn)定鈣鈦礦LED

中國(guó)科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無(wú)閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

工信部：加快自動(dòng)駕駛系統(tǒng)安全要求強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)研制

浙江大學(xué)研制出90納米像素尺寸LED

2025JFSC平行論壇11丨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品評(píng)測(cè)與標(biāo)準(zhǔn)研制，精彩議題搶先看

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出毫秒級(jí)可集成量子存儲(chǔ)器

全球首發(fā)！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無(wú)極”

實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破！我國(guó)成功研制出這一光子芯片

研制成功！我國(guó)團(tuán)隊(duì)在氧化鎵日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

總投資8億元！御微半導(dǎo)體設(shè)備研制項(xiàng)目簽約落地浦東

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測(cè)器研制方面取得新進(jìn)展

中南大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出偏振、諧振腔等光場(chǎng)調(diào)控Micro-LEDs

中國(guó)科學(xué)院研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開發(fā)套件

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

中航紅外新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目啟動(dòng)生產(chǎn)線調(diào)試

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項(xiàng)目簽約湖南企業(yè)

上海臨港新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目通過(guò)竣工驗(yàn)收

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