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我國芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破算力提升三千余倍

上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實現(xiàn)突破

中國科學院上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實現(xiàn)突破

氫能源汽車下的技術(shù)變革，芯鎂信突破催化燃燒式氫氣傳感器車載格局

我國取得深海大功率人工源電磁探測技術(shù)新突破

清華大學等研究團隊在三維曲面電子制造方法上取得突破

北理工團隊在平面光伏型紅外光電探測方面取得突破性進展

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導體大失配外延研究上取得突破性進展

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廈大團隊在Micro-LED全彩顯示技術(shù)方面取得突破

科友6/8英寸碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)取得重大技術(shù)突破

南京郵電大學氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

國內(nèi)首次太赫茲軌道角動量的實時無線傳輸通信實驗完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破

打破國外壟斷武漢先進院有機硅材料制備技術(shù)取得突破

國際首次！科研團隊在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

突破！中國科大研究團隊創(chuàng)造性開發(fā)出半導體材料激光直寫方法

臺灣中山大學突破6英寸碳化硅晶體生長！

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

GaN襯底研發(fā)獲新突破！

上海光機所研究團隊在小型化自由電子相干光源研究中取得突破性進展

南京大學科研團隊在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

大功率芯片研制獲突破

突破！世界首個原子級量子集成電路推出

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

南京大學、東南大學在雙層二維半導體外延生長核心技術(shù)取得新突破

南京大學等突破雙層二維半導體外延生長核心技術(shù)

上海光機所疫情期間封閉攻關(guān) 突破多項“卡脖子”技術(shù)

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