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大功率芯片研制獲突破

日期:2022-07-06 閱讀:708
核心提示:近日,由湖北深紫科技有限公司與華中科技大學(xué)共建的企校聯(lián)合創(chuàng)新中心研發(fā)團(tuán)隊,成功實(shí)現(xiàn)了UVC大功率芯片技術(shù)突破,研制出單顆光輸出功率140mW以上的大功率芯片。目前該款產(chǎn)品已進(jìn)入批量供貨階段。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉,近日,由湖北深紫科技有限公司與華中科技大學(xué)共建的企校聯(lián)合創(chuàng)新中心研發(fā)團(tuán)隊,成功實(shí)現(xiàn)了UVC大功率芯片技術(shù)突破,研制出單顆光輸出功率140mW以上的大功率芯片。目前該款產(chǎn)品已進(jìn)入批量供貨階段。
 
據(jù)悉,該企校聯(lián)合創(chuàng)新中心已獲得2022年中央引導(dǎo)地方科技發(fā)展項目,正在實(shí)施“紫外 UVB 與 UVC LED 芯片及其模組的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目,進(jìn)一步提升紫外LED芯片量子效率,開發(fā)多款紫外LED模組,力爭該類芯片性達(dá)到國際領(lǐng)先水平。 
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