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簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計提高系統(tǒng)設(shè)計功率密度

東南大學牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

深圳大學劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

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金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

大阪大學、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進展

在納米圖案化藍寶石襯底（NPSS）上實現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

GaN基紫外半導體激光器

技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動及簡化柵極驅(qū)動設(shè)計的方法

GaN 封裝技術(shù)研究進展

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

中科院半導體所趙德剛團隊研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

北京大學沈波、許福軍團隊在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進展

向單芯片的GaN器件進軍

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問世！

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN HEMTs

GaN 解決方案：小型封裝應(yīng)對大型雷達挑戰(zhàn)

33W GaN快充“殺”出江湖國內(nèi)氮化鎵IDM企業(yè)加速布局

GaN打破壁壘！RF功率放大器的帶寬越來越寬、功率越來越高

沖擊1億出貨量！小米、蘋果帶火的GaN快充芯片產(chǎn)業(yè)鏈，哪些公司在快速崛起

半導體材料中的法拉利：GaN沖向2021！

無懼高溫！日本研究開發(fā)基于GaN的MEMS諧振器

在GaNVCSEL中實現(xiàn)單模工作

北京大學教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進展

InGaN μLED外部量子效率改進最新研究成果有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸

軍民融合+進口替代正當時——世界領(lǐng)先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量產(chǎn)

蘋果5Ｗ充電頭確定將走入歷史，GaN快充即將取而代之？

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

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