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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英國巴斯大學(xué)王望南：基于UVC和InGaN的紅光LED 的挑戰(zhàn)與最新進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學(xué)Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

2025云南晶體大會前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

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SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

【CASICON 2023】湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）李陽鋒：原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分數(shù)對InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響

廈門大學(xué)聯(lián)合三安光電技術(shù)攻關(guān)，超8瓦大功率InGaN藍光激光器取得突破性成果

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英國Plessey宣布開發(fā)出世界上首個硅基InGaN紅光LED

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