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電子科技大學(xué)羅小蓉教授團(tuán)隊(duì)：具有擴(kuò)展p-NiO柵極場板的超低導(dǎo)通電阻高壓β-Ga?O? MOSFET

萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過技術(shù)鑒定

簡述MOSFET與IGBT的區(qū)別

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動汽車

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國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗(yàn)

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

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自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試分析

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第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對并聯(lián)均流的影響

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

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《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

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