美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

晶盛機(jī)電12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付

南京理工大學(xué)微電子學(xué)院在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最新研究成果

SiC技術(shù)重磅突破！瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片

臻晶半導(dǎo)體攜手南昌大學(xué)，圍繞8英寸厚SiC單晶的低成本制備展開(kāi)聯(lián)合攻關(guān)

中國(guó)科學(xué)院微電子所在4H/3C-SiC 單晶復(fù)合襯底與器件方面取得重要進(jìn)展

廈大物理團(tuán)隊(duì)突破SiC雪崩探測(cè)器技術(shù)瓶頸，新型結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低電壓高增益探測(cè)

CHIPX Global投建一座8英寸GaN/SiC集成電路晶圓制造工廠

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室分析檢測(cè)中心建立“無(wú)損快速的Raman測(cè)量SiC微區(qū)載流子濃度能力

以色列氮化鎵功率半導(dǎo)體供應(yīng)商VisIC完成2600萬(wàn)美元B輪融資

突破！南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)打造連續(xù)穩(wěn)定工作超萬(wàn)小時(shí)的高可靠性SiC紫外單光子探測(cè)器

標(biāo)準(zhǔn) | 11項(xiàng)GaN/SiC功率器件標(biāo)準(zhǔn)修訂形成委員會(huì)草案

西安電子科技大學(xué)杜豐羽：基于SiGaOx界面工程增強(qiáng)的β-Ga2O3/4H-SiC異質(zhì)結(jié)的高溫雙波段紫外光電探測(cè)器陣列

納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合，服務(wù)于智能電網(wǎng)并全面提升關(guān)鍵能源基礎(chǔ)設(shè)施可靠性與性能

萬(wàn)伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

標(biāo)準(zhǔn) | 《基于感性負(fù)載的SiC功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) |《SiC MOSFET高濃度硫化氫試驗(yàn)方法》立項(xiàng)

三安光電SiC芯片正式上車?yán)硐?/a>

報(bào)告前瞻|復(fù)旦大學(xué)雷光寅：面向AI數(shù)據(jù)中心高功率電源的高性能SiC芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

時(shí)代電氣SiC產(chǎn)品（SBD）已在光伏領(lǐng)域批量供貨

晶盛機(jī)電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得突破性進(jìn)展

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室與西安理工大學(xué)合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港科技大學(xué)張薇葭：SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動(dòng)器綜述

機(jī)構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)兩倍，至420億美元

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學(xué)西澤伸一：綠色社會(huì)時(shí)代下的SiC材料技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國(guó)東義大學(xué)WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長(zhǎng)研究進(jìn)展

晶盛機(jī)電12英寸SiC中試線通線

晶盛機(jī)電12英寸SiC中試線通線

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與研究

第1頁(yè)/共30頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<li id="ytgaw"><strong id="ytgaw"></strong></li>