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中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

九峰山實驗室+華中科大聯(lián)合攻關(guān)，一種新型光刻膠技術(shù)完成初步工藝驗證

廈門大學(xué)康俊勇教授團隊：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

一種IGBT結(jié)溫預(yù)測的方法

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

中國科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展

廈門大學(xué)于大全教授團隊與華為團隊合作在先進封裝金剛石散熱技術(shù)領(lǐng)域取得突破

西交大科研人員在hBN真空紫外探測器領(lǐng)域取得重要進展

光谷實驗室攻克量子點短波紅外成像新技術(shù)

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術(shù)領(lǐng)域取得重要進展

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強型電力電子器件

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

福建物構(gòu)所新型高效近紅外量子點熒光粉及其micro-LED應(yīng)用獲進展

科學(xué)家研發(fā)出新型散熱材料超薄金剛石膜可將電動汽車充電速度提升五倍

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

山東大學(xué)郝曉濤團隊在有機半導(dǎo)體光伏器件物理研究中取得新進展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院三篇高水平成果亮相ISSCC 2024

西安交大毫米波頻率源芯片研究成果在ISSCC2024發(fā)表

浙大科研團隊新發(fā)現(xiàn)或突破電動汽車鋰電池“快充和低溫”瓶頸

重慶研究院發(fā)展出仿生“視聽”光電探測器

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團隊研發(fā)基于全無機鈣鈦礦的多功能集成光子器件

香港科技大學(xué)開發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

北大團隊新型器件技術(shù)加速GaN進入工業(yè)與汽車應(yīng)用

新進展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

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