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西安電子科技大學(xué)杜豐羽：基于SiGaOx界面工程增強(qiáng)的β-Ga2O3/4H-SiC異質(zhì)結(jié)的高溫雙波段紫外光電探測(cè)器陣列

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學(xué)王德君：SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

IFWS 2023│高通量方法輔助篩選和預(yù)測(cè)半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例

中山大學(xué)江灝：利用界面效應(yīng)的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測(cè)應(yīng)用

西安電子科技大學(xué)袁海東：β-Ga2O3/2D異質(zhì)結(jié)界面性能調(diào)控及其潛在應(yīng)用

南京大學(xué)況悅：κ-Ga2O3/In2O3 同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列和界面彎曲

我國(guó)在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重大突破

微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得進(jìn)展

北京大學(xué)尹瑞苑：氮化鎵MIS結(jié)構(gòu)界面相關(guān)陷阱態(tài)：物性、表征及模型

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