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中國科學(xué)院半導(dǎo)體所榮獲北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)
中國科學(xué)院
半導(dǎo)體所
高性能
鈣鈦礦
半導(dǎo)體
光電器件
載流子
2022年度
北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)
一等獎(jiǎng)
評論 ?
2023-12-28 14:19
202
3年中國科學(xué)院“年度創(chuàng)新人物“丨陳小龍:國產(chǎn)化碳化硅晶片的開路人
評論 ?
2023-12-27 17:12
國軒高科:預(yù)計(jì)
202
7年海外交付超100GWh,市場份額沖10%
評論 ?
2023-12-25 16:02
最高800萬!
202
3年度晉江市引進(jìn)高層次人才團(tuán)隊(duì)申報(bào)已開啟
評論 ?
2023-12-22 16:05
重磅!
202
3年度何梁何利基金獎(jiǎng)揭曉
何梁何利基金
杰出科技工作者
2023年度
何梁何利基金
科學(xué)與技術(shù)獎(jiǎng)
評論 ?
2023-12-22 09:44
IFWS
202
3│九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦吞蓟铚喜燮骷夹g(shù)研究進(jìn)展
評論 ?
2023-12-21 10:42
202
3全球十大工程成就發(fā)布 新興前沿持續(xù)演進(jìn)
評論 ?
2023-12-20 17:08
機(jī)構(gòu):
202
4年全球半導(dǎo)體銷售額將增長13.1%至5884億美元
評論 ?
2023-12-20 16:36
IFWS
202
3│國瑞升苑亞斐:碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)
評論 ?
2023-12-20 16:26
IFWS
202
3│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長
評論 ?
2023-12-20 11:52
《上海市鼓勵(lì)購買和使用新能源汽車實(shí)施辦法》
202
4年1月1日起施行
評論 ?
2023-12-19 18:15
IDC:
202
4年半導(dǎo)體市場八大預(yù)測
評論 ?
2023-12-19 13:55
IFWS
202
3│西安交通大學(xué)王來利:碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)
評論 ?
2023-12-19 11:35
IFWS
202
3│科友半導(dǎo)體趙麗麗:8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
評論 ?
2023-12-19 11:05
IFWS
202
3│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍:大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展
評論 ?
2023-12-18 11:52
IFWS
202
3│華南師范大學(xué)尹以安:具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
評論 ?
2023-12-18 10:11
創(chuàng)紀(jì)錄!
202
3年倒閉1.09萬家芯片公司,平均每天31家關(guān)門!
芯片,倒閉,2023
評論 ?
2023-12-15 14:10
IFWS
202
3│晶格領(lǐng)域張澤盛:液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究
評論 ?
2023-12-15 13:38
中金:碳化硅
202
4年有望迎接大規(guī)模放量
評論 ?
2023-12-15 10:54
天岳先進(jìn)入選“
202
3年度智能制造標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用試點(diǎn)項(xiàng)目”
評論 ?
2023-12-14 16:01
華為宣布
202
4年將部署超10萬個(gè)全液冷超快充電樁,可實(shí)現(xiàn)“一秒一公里”!
評論 ?
2023-12-13 22:02
畢馬威:半導(dǎo)體和智能手機(jī)市場將在
202
4年反彈
評論 ?
2023-12-13 17:00
SEMI:
202
5年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達(dá)到1240億美元
評論 ?
2023-12-13 16:56
IFWS
202
3│小鵬汽車楊恒:碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應(yīng)用
評論 ?
2023-12-13 10:58
國星光電子公司風(fēng)華芯電三項(xiàng)產(chǎn)品榮獲“
202
3年廣東省名優(yōu)高新技術(shù)產(chǎn)品”稱號
評論 ?
2023-12-12 15:47
IFWS
202
3│日本大阪大學(xué)陳傳彤:SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展
評論 ?
2023-12-12 14:17
IFWS
202
3│瞻芯電子曹峻:碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案
評論 ?
2023-12-12 10:45
IFWS
202
3│大連理工大學(xué)王德君: 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑
評論 ?
2023-12-11 17:38
IFWS
202
3│加拿大Crosslight首席研發(fā)專家Ahmed NASHED:基于半導(dǎo)體激光器件的高級光學(xué)建模與仿真
評論 ?
2023-12-11 15:24
IFWS
202
3│博睿光電梁超:面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)
評論 ?
2023-12-11 11:02
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