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IFWS
202
3│臺灣成功大學李清庭:GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管
評論 ?
2023-12-08 16:40
IFWS
202
3│日本國立材料研究所桑立雯:GaN MEMS/NEMS應變調(diào)控諧振器
評論 ?
2023-12-08 16:04
IFWS
202
3│氮矽科技朱仁強:增強型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設計進展
評論 ?
2023-12-08 15:49
IFWS
202
3│南方科技大學于洪宇:Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
評論 ?
2023-12-08 15:32
IFWS
202
3│Yuri MAKAROV:利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體
評論 ?
2023-12-08 14:32
IDC預測
202
4年全球半導體市場八大預測
評論 ?
2023-12-08 11:34
IFWS
202
3│中國科學院半導體所閆果果:6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究
評論 ?
2023-12-07 17:38
IFWS
202
3│南京大學修向前:基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設備與工藝技術
評論 ?
2023-12-07 15:51
IFWS
202
3│中國科學院蘇州納米所司志偉:助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展
評論 ?
2023-12-07 15:07
SSLCHINA
202
3│廈門大學黃凱:顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展
評論 ?
2023-12-07 14:33
SSLCHINA
202
3│芯穎顯示謝相偉:Micro-LED顯示關鍵技術突破
評論 ?
2023-12-07 11:23
SSLCHINA
202
3│長虹電子陳寧:Micro LED新型投影顯示技術展望
評論 ?
2023-12-07 11:21
SSLCHINA
202
3│國星光電研究院趙龍:Micro LED顯示技術及其產(chǎn)業(yè)化應用趨勢
評論 ?
2023-12-07 10:22
SSLCHINA
202
3│華中科技大學羅小兵:高效高可靠量子點白光LED封裝與熱管理
評論 ?
2023-12-06 16:23
SSLCHINA
202
3│京東方曹占鋒:玻璃基MLED 顯示進展與挑戰(zhàn)
評論 ?
2023-12-06 15:06
SSLCHINA
202
3│三安光電何安和:Micro-LED微顯示芯片技術發(fā)展與挑戰(zhàn)
評論 ?
2023-12-06 11:45
IFWS
202
3│六方氮化硼研究進展
評論 ?
2023-12-06 11:20
IFWS
202
3│高通量方法輔助篩選和預測半導體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例
評論 ?
2023-12-05 17:20
IFWS
202
3│中國電子科技集團第四十六研究所孫杰:高導熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能
評論 ?
2023-12-05 16:53
IFWS
202
3│廈門大學徐翔宇:氧化鎵缺陷研究,合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)
評論 ?
2023-12-05 16:32
SSLCHINA
202
3│納微朗科技閆春輝:低藍害低碳康視康律全光譜半導體照明技術
評論 ?
2023-12-05 15:55
SSLCHINA
202
3│蘇州大學教授董建飛:超越晝夜節(jié)律調(diào)節(jié) 藍光治療感染和癌癥綜述
評論 ?
2023-12-05 14:48
研究機構(gòu):
202
8年全球OLED發(fā)光材料市場將超24億美元,中國占44%
評論 ?
2023-12-05 14:08
IFWS
202
3│清軟微視周繼樂:化合物半導體襯底和外延缺陷無損檢測技術
評論 ?
2023-12-04 15:13
IFWS
202
3│化合物半導體激光器與異質(zhì)集成技術分會召開
評論 ?
2023-11-30 11:35
IFWS
202
3│碳化功率器件及封裝技術分會新提升
評論 ?
2023-11-30 11:22
IFWS
202
3│追蹤氮化鎵功率電子器件技術新進展
評論 ?
2023-11-30 09:05
IFWS
202
3│氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會召開
評論 ?
2023-11-30 08:35
IFWS
202
3│南京大學蔡青:AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器的優(yōu)化設計及擊穿機理研究
評論 ?
2023-11-29 19:53
IFWS
202
3│三安光電王俞授:大功率藍綠激光器開發(fā)與應用
評論 ?
2023-11-29 19:49
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