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遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產業(yè)化（宜興）建設項目竣工投產

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結構專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結構及其制造方法”專利公布

長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉化意向協(xié)議

華潤微：重慶12吋產線聚焦功率器件預計下半年可實現(xiàn)滿產

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術方面取得系列進展

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會議成功召開

清純半導體“半導體功率器件及其制備方法”專利公布

三安半導體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

中車中低壓功率器件產業(yè)化（株洲）項目樁基建設啟動總投資52.9億元

北一半導體功率器件項目在江蘇鹽城開工總投資10億元

總投資10億元，北一半導體功率器件項目在江蘇鹽城開工

海納股份高端功率器件用半導體級拋光片生產線項目結頂總投資22.14億元

海納股份高端功率器件用半導體級拋光片生產線項目正式結頂

士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目今日開工

GaNational：GaN功率器件引領革新風潮

CASICON晶體大會前瞻|深圳大學劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

士蘭微電子擬合資建設月產6萬片8英寸SiC功率器件芯片制造生產線

士蘭微增資41.5億，建設8英寸SiC功率器件制造生產線

宜興中車時代中低壓功率器件項目首臺光刻機搬入

CSPSD 2024論壇1：聚焦硅基、化合物功率器件設計及集成應用發(fā)展

CSPSD 2024成都前瞻|芯粵能半導體相奇:大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學王曦：光控型SiC功率器件的理論與實驗研究

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強型GaN功率器件設計與仿真技術

CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導體劉成：應用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學羅小蓉：《氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實驗室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學周賢達：非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)

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