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CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學王德君：SiC半導體表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

天狼芯半導體上海車規(guī)級可靠性實驗中心正式啟用

華為公司申請功率器件專利，提高半導體器件的可靠性

中國科學院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

IFWS 2023│大連理工大學王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

致能科技首發(fā)1200V 高可靠性氮化鎵器件平臺

國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規(guī)級認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核

長電科技高可靠性車載SiC功率器件封裝解決方案

IQE和VisIC宣布合作開發(fā)車用高可靠性D模式GaN功率產品

納芯微：光伏增長勢頭強勁，芯片靈活性及可靠性要求提升

華域麥格納王飛：電驅動系統(tǒng)關鍵零部件可靠性全流程思考

五部門將推進車規(guī)級芯片等產品可靠性水平提升

工信部等五部門印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實施意見》

五部門發(fā)布《制造業(yè)可靠性提升實施意見》，機械、電子、汽車等行業(yè)

三安光電：公司碳化硅芯片應用于光伏、儲能、新能源汽車等可靠性要求高的領域

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術體系報告》

晶合集成：汽車電子芯片研發(fā)取得進展通過汽車12.8英寸顯示屏總成可靠性測試

標準 | 《Sub-6GHz GaN 射頻產品可靠性篩選和驗收方法》等5項團體標準形成征求意見稿

簡述GaN功率器件應用可靠性增長研究

俄亥俄州立大學的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

復旦大學牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術體系報告》征求意見

復旦大學牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術體系報告》征求意見

清純半導體SiC MOSFET獲得AEC-Q101車規(guī)認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核

一種基于基板埋入技術的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設計方法

一種基于基板埋入技術的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設計

高可靠性電容式硅麥克風在車載中的應用

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

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