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《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

GaN功率半導(dǎo)體的可靠性挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)之策

韓國(guó)Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

八位嘉賓前沿報(bào)告分享！半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性論壇圓滿(mǎn)召開(kāi)

SSLCHINA 2021：半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性論壇圓滿(mǎn)召開(kāi)

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性最新日程出爐

【CASICON 2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】電子科技大學(xué)鄧小川：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：復(fù)旦大學(xué)青年研究員樊嘉杰將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

電子科技大學(xué)教授鄧小川將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì) 分享極端應(yīng)力下SiC MOSFET器件動(dòng)態(tài)可靠性研究進(jìn)展

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性的影響

自動(dòng)駕駛芯片需求激增，可靠性如何保證？

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意法半導(dǎo)體推出高性能GaN系列！面向汽車(chē)應(yīng)用、可靠性更高

東芝開(kāi)發(fā)碳化硅功率模塊新封裝技術(shù) 提高可靠性并減小尺寸

集成電路為高可靠性電源提供增強(qiáng)的保護(hù)和改進(jìn)的安全特性

深度！如何從材料層面提升碳化硅功率器件技術(shù)可靠性？

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性之材料篇

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問(wèn)題的研究

復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰:可靠性設(shè)計(jì)的發(fā)展和挑戰(zhàn)

北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲：新型電極LED的性能與可靠性

SSLCHINA2020：可靠性與熱管理技術(shù)分會(huì)深圳召開(kāi)

SiTime 助力 DASAN Network Solutions 提供具有變革意義的網(wǎng)絡(luò)解決方案

干貨 | 提高電力線(xiàn)監(jiān)控應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)性能和可靠性

SiTime 將可靠性提高 10 倍，實(shí)現(xiàn) 5G 零停運(yùn)目標(biāo)

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