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2021年中國(guó)功率半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析市場(chǎng)規(guī)模保持增長(zhǎng)

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)成功突破柔性高性能GaN半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)

正海集團(tuán)與羅姆合資公司成立，專攻碳化硅功率器件

中微公司：公司計(jì)劃擴(kuò)展在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備的應(yīng)用，布局顯示、MEMS、功率器件、太陽能領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備

華微電子：公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)

南京芯干線周陽：氮化鎵功率器件及在數(shù)字電源中的應(yīng)用

貝思科爾邱志國(guó)：第三代半導(dǎo)體器件的熱測(cè)試與仿真解決方案

深圳大學(xué)劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導(dǎo)體器件

先進(jìn)連接胡博：基于SiC器件的低溫銀燒結(jié)方案

月產(chǎn)功率器件20000片浙江旺榮半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目落戶麗水

日企致力于開發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時(shí)

【CASICON 2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】中電科十三所郭建超：金剛石微波功率器件研究

【CASICON 2021】蘇州晶湛半導(dǎo)體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】安徽芯塔電子科技倪煒江：高性能高壓SiC器件設(shè)計(jì)與技術(shù)

【CASICON 2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

【CASICON 2021】愛發(fā)科左超：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】南京大學(xué)陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展

上海電氣：計(jì)劃在8-10年內(nèi)成為上海電氣功率半導(dǎo)體器件集成封裝/測(cè)試的公共平臺(tái)，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品（SiC）

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：超過SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件

【CASICON 2021】中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】中國(guó)電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

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