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上海光通信申請半導體結構相關專利，縮小半導體結構線寬提高器件密度

會議通知| 2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）將于5月22-24日在南京召開

中芯北方取得半導體器件及其形成方法專利

中國科學院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測領域取得新進展

清華大學化學系馬冬昕團隊開發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點深紅光器件

中信證券：建議關注SiC器件領軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

聯(lián)訊儀器總部基地啟用

長春光機所實現(xiàn)100 fJ/bit超低功耗高速垂直腔面發(fā)射激光器

長春光機所優(yōu)化并制備出高亮度HiBBEE非均勻波導半導體激光器

蘭州大學研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領域取得重要進展

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應用中的可靠性

最高5000萬！廣東出臺12項措施支持人工智能與機器人產業(yè)

聞泰科技半導體業(yè)務推出新款降壓 DC-DC 轉換器

先導科技半導體激光雷達及傳感器件產業(yè)化項目預計10月竣工！

“2024年度華強電子網優(yōu)質供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產品牌評選”獲獎榜單重磅公布！

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

北京設立1000億元政府投資基金支持人工智能和機器人產業(yè)發(fā)展

研制成功！我國團隊在氧化鎵日盲光電探測器領域取得重要進展

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

格力電器獲得發(fā)明專利授權：“IGBT模塊保護裝置、IGBT模塊及變頻器”

報告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術在電驅系統(tǒng)的應用

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長飛先進半導體申請功率器件及相關專利，降低功耗

報告前瞻|湖南三安半導體許志維：SiC MOSFET器件技術之發(fā)展與挑戰(zhàn)

新微半導體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結構及其校驗方法”專利公布

總投資16.8億元，晶旭半導體高頻濾波器芯片項目將于7月投用

比亞迪半導體“存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質和電子設備”專利公布

格恩半導體取得半導體激光器封裝模組專利，降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

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