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1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

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科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

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CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

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CSPSD 2025前瞻|矢量科學(xué)儀器邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

友達(dá)光電執(zhí)行長暨總經(jīng)理柯富仁：Micro LED顯示技術(shù)將成主宰AI應(yīng)用終極武器

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫：面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動電路設(shè)計挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施?。篠iC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁俊：新型多級溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

AI驅(qū)動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，從材料/器件到EDA/設(shè)備的多維探索

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

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