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中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

日本德島大學(xué)教授敖金平：轉(zhuǎn)換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

美國Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)及其熱學(xué)模型研究

北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

西安電子科技大學(xué)王婷婷：基于金屬氮化物陽極的凹槽雙陽極SBD研究

深圳大學(xué)微電子研究院劉新科：2寸獨(dú)立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢壘二極管

西安電子科技大學(xué)寧靜：基于維度調(diào)控的GaN紫外LED及光電集成

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

山東大學(xué)徐明升：基于金剛石金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的日盲探測器

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響

復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究

晶湛半導(dǎo)體總部大樓正式奠基，標(biāo)志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

大基金二期33.95億投資中芯深圳

IFWS 2021前瞻：中國電科首席科學(xué)家馮志紅將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

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華虹虹芯基金正式發(fā)起成立將聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資

工信部等四部門：鼓勵國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等加大對工業(yè)綠色發(fā)展重點(diǎn)領(lǐng)域投資力度

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在硅襯底GaN基縱向功率器件方面取得新進(jìn)展

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1000億！廣東省半導(dǎo)體重磅基金成立！

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獲小米產(chǎn)業(yè)基金投資，模擬集成電路設(shè)計(jì)公司帝奧微電子闖關(guān)科創(chuàng)板

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