近日，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。 期間，“超寬禁帶半導體材料“論壇上鄭州大學Mussaab I. Niass做了題為“藍寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究”的視頻主題報告，分享了最新研究成果，研究利用先進的 LASTIP-Crosslight 模擬器，對由三元氮化硼鎵BxGa1-xN組成的新型邊緣發(fā)射激光二極管 (EELD) 進行了理論分析，以增強P型導電性。使用原型方案獲得的模擬結果期望在270nm的目標UVC 波長處產生激光。此外，在0.5μm的N電極區(qū)域寬度或3μm的P電極區(qū)域寬度下可以獲得最小的直接電阻。結果歸因于直接電阻與 N 電極和P電極的寬度尺寸之間的線性和非線性關系。

 
 

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