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西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN HEMTs

聯(lián)盟積極對接院校機構共建產(chǎn)教融合基地

中科院半導體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術研究

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

日本德島大學教授敖金平：轉換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

美國Analog設備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術的緊湊型氮化鎵功率模塊設計及其熱學模型研究

北京大學物理學院楊學林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

西安電子科技大學王婷婷：基于金屬氮化物陽極的凹槽雙陽極SBD研究

深圳大學微電子研究院劉新科：2寸獨立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢壘二極管

西安電子科技大學寧靜：基于維度調控的GaN紫外LED及光電集成

中科院半導體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

山東大學徐明升：基于金剛石金屬半導體場效應晶體管的日盲探測器

鄭州大學Mussaab I. Niass：藍寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

鄭州大學Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分數(shù)對InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學性能的影響

復旦大學張園覽：基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究

晶湛半導體總部大樓正式奠基，標志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

大基金二期33.95億投資中芯深圳

IFWS 2021前瞻：中國電科首席科學家馮志紅將出席射頻電子器件與應用論壇

IFWS 2021前瞻：中科院半導體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應用論壇

阿基米德半導體獲3億元天使輪融資，將落地合肥建SiC/IGBT產(chǎn)線

華虹虹芯基金正式發(fā)起成立將聚焦半導體產(chǎn)業(yè)鏈投資

工信部等四部門：鼓勵國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等加大對工業(yè)綠色發(fā)展重點領域投資力度

蘇州納米所孫錢團隊在硅襯底GaN基縱向功率器件方面取得新進展

北方華創(chuàng)定增募資85億，大基金二期認購近15億

1000億！廣東省半導體重磅基金成立！

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鄭州大學物理學院在氧化鎵基日盲光電探測方面取得進展

鄭州支持集成電路、軟件公司上市，鼓勵設立投資基金

英特爾 CEO 基辛格：半導體短缺狀況 2023 年才會結束

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