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北京大學(xué)鄭州新材料高等研究院項(xiàng)目開(kāi)工

西安郵電大學(xué)聯(lián)合宇騰科技共建產(chǎn)學(xué)研合作基地

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

武漢大學(xué)聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運(yùn)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

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CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻|溫州大學(xué)韋文生:3C/4H-SiC異構(gòu)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)器件的構(gòu)建和模擬

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)徐躍杭:金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開(kāi)琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)劉人寬：基于多層級(jí)多場(chǎng)域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大學(xué)王來(lái)利：碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無(wú)半橋直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路研究

CSPSD 2024成都前瞻|南方科技大學(xué)葉懷宇：碳化硅先進(jìn)封裝及全銅化技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)張金平：IGBT的技術(shù)演進(jìn)與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學(xué)王德君：SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)章文通：硅基超結(jié)-功率半導(dǎo)體More silicon發(fā)展的主力器件

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)嚴(yán)穎怡：在功率變換器中電流檢測(cè)的挑戰(zhàn)

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學(xué)孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大學(xué)劉雯：用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

芯啟源與浙江大學(xué)集成電路學(xué)院簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議共啟數(shù)智“芯”征程

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |重慶大學(xué)蔣華平：碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移

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