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百識電子完成A+輪融資，加速耐高壓、大尺寸第三代半導體外延布局

北京大學申請大尺寸高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個異質集成結構的熱導率

芯導科技申請TrenchMOSFET器件的自對準的制備方法專利，進一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

北京大學教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長研究

IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學楊祥龍：大尺寸SiC單晶的研究進展

湖南大學物電院劉淵教授團隊在小尺寸晶體管研究中取得新進展

SSLCHINA2023│北京工業(yè)大學郭偉玲：MicroLED的尺寸效應與高色彩轉換效率

山東大學陶緒堂教授團隊研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術

CASA正式發(fā)布《8英寸碳化硅襯底片基準標記及尺寸》等3項團體標準

盛鑫半導體：大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目實現(xiàn)首批設備入場

【CASICON 2023】特思迪半導體孫占帥：先進拋光技術助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造

中科潞安閆建昌：高性能、大尺寸是深紫外LED產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展趨勢

標準/山東大學牽頭起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》等3項團體標準征求意見

山東大學教授陳秀芳：大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備

OPT（奧普特）2D尺寸測量傳感系統(tǒng)上市

華清電子材料實現(xiàn)了超大尺寸高導熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

南京大學余林蔚教授課題組實現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細晶硅納米線可靠生長集成

中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所團隊首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲單元器件

CASA立項《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》團體標準

浙江麗水中欣晶圓項目獲11億元融資，推動大尺寸半導體硅片國產(chǎn)化

揚杰科技收購楚微半導體40%股權，目的在于完善大尺寸新品產(chǎn)能

中科院蘇州納米所趙志剛團隊Analytical Chemistry：量子點尺寸調控實現(xiàn)半導體SERS基底性能提升和無機小分子檢測

南京盛鑫大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目開工，一期投資13.6億元

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

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最新透露 | 天岳先進：公司具備設計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力

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天通股份：擬募資不超25億元，發(fā)展大尺寸射頻壓電晶圓項目等

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