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全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)成立大會(huì)舉行全面實(shí)施《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》

英偉達(dá)等四巨頭“密謀”，研發(fā)出突破性計(jì)算光刻技術(shù)

5支創(chuàng)投基金成功組建，計(jì)劃投資第三代半導(dǎo)體等前沿技術(shù)領(lǐng)域未來(lái)產(chǎn)業(yè)

科瑞技術(shù)：公司目前主要開(kāi)發(fā)了IGBT功率半導(dǎo)體相關(guān)的晶圓、輔料及相關(guān)工裝的貼裝及組裝設(shè)備

簡(jiǎn)述MOSFET與IGBT的區(qū)別

定檔 | 2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)論壇，5月5-7日長(zhǎng)沙舉行！

北京經(jīng)開(kāi)區(qū)設(shè)產(chǎn)業(yè)升級(jí)股權(quán)投資基金聚焦新一代信息技術(shù)、新能源智能汽車(chē)等

簡(jiǎn)述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場(chǎng)發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

賀利氏在車(chē)用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會(huì)上發(fā)表演講

廈門(mén)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)重磅揭曉，12位科研人員獲重大貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、創(chuàng)新杰出人才獎(jiǎng)

合肥工業(yè)大學(xué)5G智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)關(guān)鍵技術(shù)項(xiàng)目終期整車(chē)技術(shù)目標(biāo)測(cè)試比選公告（三次）

工信部副部長(zhǎng)：6G處于對(duì)需求和關(guān)鍵技術(shù)的研究階段

文旅部出臺(tái)意見(jiàn)推動(dòng)在線(xiàn)旅游深度應(yīng)用5G等新技術(shù)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)印發(fā)《2023年全國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

第三代半導(dǎo)體SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

中國(guó)科大首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

簡(jiǎn)述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

中科潞安閆建昌：高性能、大尺寸是深紫外LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

工信部：一批新材料關(guān)鍵共性技術(shù)已服務(wù)中小企業(yè)7．7萬(wàn)家

國(guó)際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

中國(guó)科大在電源管理芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

同惠電子與與東南大學(xué)合作共建先進(jìn)功率芯片測(cè)試技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

中科潞安閆建昌博士帶隊(duì)榮獲中國(guó)先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)化應(yīng)用大賽一等獎(jiǎng)

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

荷蘭限制半導(dǎo)體技術(shù)出口，商務(wù)部回應(yīng)：希望荷方不濫用出口限制措施

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

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