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萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產業(yè)化技術——2025年度中國第三代半導體技術十大進展候選成果TOP30推介

全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)——2025年度中國第三代半導體技術十大進展候選成果TOP30推介

報告前瞻|北京大學沈波：第三代半導體技術現(xiàn)狀與發(fā)展戰(zhàn)略

報告前瞻|中山大學劉揚：三族氮化物功率半導體技術發(fā)展態(tài)勢

IFWS 2025 聚焦超寬禁帶半導體技術進展

2025年度中國第三代半導體技術十大進展重磅揭曉！

2025年度中國第三代半導體技術十大進展揭曉

“第三代半導體技術與標準培訓”在鹽城成功舉辦

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邀請函|國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）邀您共赴2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會

公開征集 | 關于開展2025年度中國第三代半導體技術十大進展評選工作的通知

2025云南晶體大會前瞻|國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及GaN的常溫異質接合研究

IEEE電力電子學會(PELS)國際寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會（ITRW）會議在北京成功舉辦

邀請函|國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）邀您共赴第六屆全國寬禁帶半導體學術會議

關于申報2025年度國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）“揭榜掛帥”的通知

晶能與中車時代半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，推動功率半導體技術創(chuàng)新突破

邀請函 | 2025先進半導體技術應用創(chuàng)新展(CASTAS)邀您11月相聚廈門！

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產品研制進展

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導體技術及應用發(fā)展

韓報告：大多數(shù)半導體技術被中國趕超

杭州芯邁半導體技術申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

超寬禁帶半導體技術進展（二）|IFWS&SSLCHINA2024

超寬禁帶半導體技術進展（一）|IFWS&SSLCHINA2024

FLAB，三代特色半導體技術創(chuàng)新模式探索| IFWS&SSLCHINA2024

商務部：推動國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）高質量發(fā)展

2024年度中國第三代半導體技術十大進展重磅揭曉 | IFWS&SSLCHINA2024

2024寬禁帶功率半導體技術路線圖研討會成功舉行

2024年度中國第三代半導體技術十大進展揭曉

廣州南砂晶圓半導體技術取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

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