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上海光機所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進展

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

IFWS 2022前瞻：射頻電子材料與器件技術分會日程公布

日本同美國商定擴大經(jīng)濟安保領域合作，涉半導體、生物科技等新興技術

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件技術分會日程公布

簡述通過柵極驅動器提高開關電源功率密度

長春應化所在晶態(tài)有機發(fā)光二極管研究中取得重要進展

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長與外延技術分會日程出爐

成都岷山功率半導體技術研究院完成2000萬首輪融資

東南大學兩項研究成果發(fā)表于電子器件領域頂會IEDM

廈大課題組在有機半導體空穴傳輸材料領域取得系列進展

山東省新一代半導體技術與系統(tǒng)等重點實驗室批準建設

俄亥俄州立大學的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質集成材料與光子器件領域取得進展

中國科大在低維光伏材料點缺陷性質研究中取得新進展

清華大學研究團隊合作利用激光加工氮化硼實現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

自力更生！堅決打贏半導體領域核心技術攻堅戰(zhàn)

氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷專利技術之臺達電子篇

中國電科46所氮化鋁單晶材料關鍵技術取得重大突破

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

銀河微電：功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術的量產(chǎn)

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關鍵技術獲得立項

硅基氮化鎵Micro-LED，實現(xiàn)高速可見光通信信號探測

賽微電子：深耕MEMS工藝帶來技術優(yōu)勢，MEMS晶圓價格持續(xù)上漲

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

合肥經(jīng)開區(qū)發(fā)布《合肥經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)支持軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策》

中共中央、國務院：推動人工智能、先進通信、集成電路、新型顯示、先進計算等技術創(chuàng)新應用

中共中央、國務院印發(fā)《擴大內需戰(zhàn)略規(guī)劃綱要（2022－2035年）》：推動人工智能、集成電路等技術創(chuàng)新和應用

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導熱材料的選擇

簡述低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術

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