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第四代半導體氧化鎵，浙大
杭州科創(chuàng)中心
新技術路線制備 2 英寸晶圓
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2022-05-09 11:19
國際首創(chuàng)！浙大
杭州科創(chuàng)中心
首次采用新技術路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓
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2022-05-07 07:41
浙大
杭州科創(chuàng)中心
獲得首批氧化鎵單晶襯底
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2021-08-26 16:41
中科院院士牽頭打造寬禁帶半導體材料與器件平臺，浙大
杭州科創(chuàng)中心
加速推進
中科院
院士
寬禁帶
半導體材料
器件平臺
杭州科創(chuàng)中心
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2020-06-24 11:17
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