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CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

重點(diǎn)研發(fā)“卡脖子”項(xiàng)目，同濟(jì)大學(xué)氧化鎵材料項(xiàng)目簽約江蘇無錫

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目簽約無錫高新區(qū)

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目落地江蘇省無錫市高新區(qū)

【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

CASICON 2023長(zhǎng)沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展探討

山東大學(xué)陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)提出一種新型氧化物X射線探測(cè)材料的設(shè)計(jì)思路

鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)千萬天使輪融資，加速氧化鎵中試線研發(fā)等

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體，暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

國(guó)內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

敏源傳感的氮氧化物調(diào)理芯片MY9706通過車規(guī)級(jí)HTOL認(rèn)證

國(guó)內(nèi)第一！中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來

招聘：中科院寧波材料所氧化物半導(dǎo)體方向誠(chéng)聘副研究員和博士后

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國(guó)產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

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