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進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破，基于無銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵

NCT成功開發(fā)一種DG氧化鎵晶體生長法，有望將氧化鎵襯底成本降低九成！

晶旭半導(dǎo)體王鋼：硅襯底氧化鎵異質(zhì)外延生長及應(yīng)用

鎵仁半導(dǎo)體夏寧：大尺寸氧化鎵單晶生長及缺陷

鎵仁半導(dǎo)體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強電學(xué)性能的應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

西電郝躍院士團隊張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

2025云南晶體大會前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵襯底質(zhì)量檢測結(jié)果揭曉，國際領(lǐng)先！

西電郝躍院士團隊張進(jìn)成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

總投資16.8億元，氧化鎵高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目主體建筑封頂！

鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

浙江大學(xué)團隊多項碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀I(xiàn)EEE ISPSD 2025

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

鎵仁半導(dǎo)體與德國NextGO.Epi攜手，推動氧化鎵應(yīng)用

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜?span id="w88eaw2" class="highlight">氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時代

鎵仁半導(dǎo)體董事長張輝：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進(jìn)展 | CASICON重慶站

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

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