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上海臨港新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目通過(guò)竣工驗(yàn)收

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半導(dǎo)體所在2D/3D雙模視覺(jué)處理芯片研制取得新進(jìn)展

山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

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IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

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CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

國(guó)內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

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中國(guó)電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

上海光機(jī)所在特殊波長(zhǎng)的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)印發(fā)《2023年全國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破

重大突破 | 國(guó)內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

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