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臻晶半導體攜手南昌大學，圍繞8英寸厚SiC單晶的低成本制備展開聯(lián)合攻關

中國科學院微電子所在4H/3C-SiC 單晶復合襯底與器件方面取得重要進展

鎵仁半導體夏寧：大尺寸氧化鎵單晶生長及缺陷

三維半導體器件制造新路徑！上海交大團隊實現(xiàn)3D打印單晶硅突破

晶盛機電12英寸半導體級單晶爐順利交付海外客戶

報告前瞻|南砂晶圓王垚浩：碳化硅單晶材料·從半導體到先進封裝

報告前瞻|晶格領域王國賓：液相法生長碳化硅單晶技術研究及產業(yè)化

極鉬芯科技攜手南京大學榮登《Science》！突破二維半導體單晶制備關鍵技術

科友半導體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實現(xiàn)關鍵突破

天成半導體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

年產值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項目，已全面達產

2025云南晶體大會前瞻|山東大學楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進展

2025云南晶體大會前瞻|昆明物理研究所董衛(wèi)民：紅外探測用半導體單晶材料研究

2025云南晶體大會前瞻|?鑫耀半導體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長工藝優(yōu)化及電學性質研究

2025云南晶體大會前瞻|?云南鍺業(yè)惠峰：鍺、三五族化合物半導體單晶生長技術和產業(yè)發(fā)展

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學院半導體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長、襯底制備及缺陷研究進展

2025云南晶體大會前瞻|?山東大學陳秀芳：碳化硅單晶材料技術及應用

2025云南晶體大會前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽：氧化鎵單晶襯底及外延技術研發(fā)進展

2025云南晶體大會前瞻|鑫耀半導體韋華：VGF法磷化銦熱場優(yōu)化控制對單晶缺陷形成的影響

2025云南晶體大會前瞻|昆明云鍺李寶學：大尺寸紅外鍺單晶的研究進展

中國科學院微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

華芯晶電獲批合物半導體單晶襯底制備技術山東省工程研究中心

江蘇集芯首枚8英寸液相法高質量碳化硅單晶出爐！

爍科晶體年產100萬毫米碳化硅單晶項目正式啟動！

安徽聯(lián)效大尺寸半導體級單晶硅棒生產項目10月投產

肥東大尺寸半導體級單晶硅棒項目將投產

天成半導體成功研發(fā)12英寸N型碳化硅單晶材料！

西湖儀器：超薄片單晶金剛石加工技術新突破！

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應釜設計制造技術”項目啟動暨實施方案論證會召開

新突破︱鎵仁半導體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

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