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《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

廈門市未來(lái)顯示技術(shù)研究院：突破“屏”頸競(jìng)逐未來(lái)顯示新賽道

東風(fēng)汽車與華科大簽合作框架協(xié)議，聯(lián)合研究院揭牌！

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所張德清課題組在聚合物半導(dǎo)體圖案化加工方面取得新進(jìn)展

總投資達(dá)3億元，超晶光電研究院項(xiàng)目在寧波開工

半導(dǎo)體所等在砷化鎵（GaAs）中產(chǎn)生自旋極化研究方面取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯(cuò)演化機(jī)制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所董煥麗課題組在高偏振紫外日盲有機(jī)光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)工程物理研究院高松：半導(dǎo)體泵浦重頻激光模塊及激光技術(shù)進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:（11-22）AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中晶芯源半導(dǎo)體楊祥龍：碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

總投資30億元，東盟廣西第三代半導(dǎo)體研究院項(xiàng)目等簽約

CASICON晶體大會(huì)前瞻|上海交通大學(xué)王亞林：高壓SiC功率模塊封裝、測(cè)試及應(yīng)用研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

西安交大劉明教授團(tuán)隊(duì)在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

中新國(guó)際聯(lián)合研究院和微納芯材共建半導(dǎo)體材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

中新國(guó)際聯(lián)合研究院和微納芯材共建半導(dǎo)體材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

中科院金屬研究所二維半導(dǎo)體器件研究獲得重要突破

南京大學(xué)—江蘇富樂德石英“半導(dǎo)體洗凈技術(shù)研究中心”簽約揭牌儀式

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

北京大學(xué)鄭州新材料高等研究院項(xiàng)目開工

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