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自然科學基金委發(fā)布集成芯片前沿技術科學基礎重大研究計劃2024年度項目指南最高1500萬元/項

技術進展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

武漢大學聯(lián)合中國科學院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運研究領域取得新進展

美國斥資110億美元推動半導體領域技術研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結構與機理研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學王曦：光控型SiC功率器件的理論與實驗研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學劉人寬：基于多層級多場域的壓接型IGBT模塊失效演化機制研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大學王來利：碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅動電路研究

國家重點研發(fā)計劃“單片集成GaN基可調控Micro-LED發(fā)光器件研究”項目啟動

廈門大學團隊在第四代半導體氧化鎵材料外延和深紫外探測應用領域研究取得重要進展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學張紫輝：GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護技術分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實驗室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻 |南方科技大學化夢媛：Ga-O原子間勢函數(shù)及其應用研究

CSPSD 2024成都前瞻|南京郵電大學南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛將出席“2024功率半導體器件與集成電路會議”

CSPSD 2024成都前瞻|北京智慧能源研究院所長金銳受邀將出席“2024功率半導體器件與集成電路會議”

浙江省集成電路 EDA 技術重點企業(yè)研究院正式掛牌

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招聘信息丨西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院誠邀全球英才

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術領域取得重要進展

中國電科產業(yè)基礎研究院：全力開新局引領第三代半導體創(chuàng)“芯”發(fā)展

招賢納士 | 復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所誠聘博士后研究人員

山東大學郝曉濤團隊在有機半導體光伏器件物理研究中取得新進展

兩會聲音|全國人大代表傅志偉：半導體行業(yè)必須加強基礎研究，在自主創(chuàng)新道路上走出‘芯’路

西安交大毫米波頻率源芯片研究成果在ISSCC2024發(fā)表

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