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A-STAR推出全球首個工業(yè)級200毫米碳化硅開放研發(fā)生產(chǎn)線

科磊斥資1.38億美元在英國威爾士開設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造中心

科磊KLA斥資1.38億美元在英國威爾士開設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造中心

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

一批高成長性集成電路公司在光谷設(shè)立研發(fā)機(jī)構(gòu)及產(chǎn)線

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

國產(chǎn)高端光刻膠材料研發(fā)商東凱芯半導(dǎo)體完成A輪融資

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng)：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

研究機(jī)構(gòu)：2024年全球芯片市場規(guī)模達(dá)6830億美元，英飛凌、意法半導(dǎo)體跌出前十

CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛：金剛石材料研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉墱喜垩趸壒β势骷?span id="8ewhqdv" class="highlight">研究

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

西湖大學(xué)光電研究院仇旻當(dāng)選歐洲科學(xué)院院士

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

工信部：加快自動駕駛系統(tǒng)安全要求強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)研制

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室誠邀全球英才加盟

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