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華大九天研發(fā)基地項(xiàng)目落地西安高新區(qū)

中國(guó)科大楊樹(shù)教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

新加坡將投入7.5億美元設(shè)立半導(dǎo)體研發(fā)中心

投資120億元，先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目力爭(zhēng)年底投產(chǎn)

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項(xiàng)氮化鎵、碳化硅的最新研究進(jìn)展

南開(kāi)大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實(shí)現(xiàn)毫米波高速成像

前瞻|中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所游天桂將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報(bào)告

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測(cè)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

理想汽車(chē)大動(dòng)作！自研碳化硅功率芯片完成裝機(jī)：進(jìn)軍純電動(dòng)

總投資8億元！御微半導(dǎo)體設(shè)備研制項(xiàng)目簽約落地浦東

北大楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化鎵外延材料中位錯(cuò)的原子級(jí)攀移動(dòng)力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展

10億元！一半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)總部項(xiàng)目落戶青島西海岸新區(qū)

總投資10億元，半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)總部項(xiàng)目落戶

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)圖鑒與趨勢(shì)研判

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學(xué)院于洪宇、王中銳、汪青研究團(tuán)隊(duì)在LiNbO3壓電聲表面波相移器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)保宏教授團(tuán)隊(duì)在《Advanced Materials》上發(fā)表科研成果

總投資3億元，湃芯半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約

西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部科研團(tuán)隊(duì)在《Advanced Materials》發(fā)表科研成果

全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測(cè)器研制方面取得新進(jìn)展

全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工

西安電子科技大學(xué)蘇杰副教授以共同第一作者在Science發(fā)表研究成果

集創(chuàng)北方與國(guó)創(chuàng)中心簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，共推車(chē)規(guī)級(jí)芯片研發(fā)

李強(qiáng)調(diào)研芯聯(lián)集成

全國(guó)產(chǎn)汽車(chē)“大腦”芯片光谷研發(fā)完成，今年全力攻堅(jiān)量產(chǎn)裝車(chē)

智源研究院發(fā)布2025十大AI技術(shù)趨勢(shì)

美國(guó)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

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