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武漢大學(xué)聯(lián)合中國科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運(yùn)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)

總投資10億元，騰彩光電半導(dǎo)體產(chǎn)鏈研發(fā)制造項(xiàng)目簽約內(nèi)蒙古

美國斥資110億美元推動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

科技部、財(cái)政部聯(lián)合發(fā)布《國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃管理暫行辦法》

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究

新陽硅密完成超億元B輪融資，專注于半導(dǎo)體濕法制程電鍍?cè)O(shè)備研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)劉人寬：基于多層級(jí)多場(chǎng)域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大學(xué)王來利：碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路研究

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)

廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻 |南方科技大學(xué)化夢(mèng)媛：Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究

CSPSD 2024成都前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2024成都前瞻|北京智慧能源研究院所長金銳受邀將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

九峰山實(shí)驗(yàn)室2024研發(fā)服務(wù)體系重磅發(fā)布

中韓科研人員在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

蔚來自研SiC模塊C樣正式完成下線

福建省出臺(tái)措施促進(jìn)稀土新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展研發(fā)推廣最高獎(jiǎng)勵(lì)1000萬元

CSE 2024專題會(huì)日程出爐，LUCEDA 光電子芯片設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)暨2024全球用戶大會(huì)

武漢新城，光谷新型顯示產(chǎn)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)基地開工

浙江省集成電路 EDA 技術(shù)重點(diǎn)企業(yè)研究院正式掛牌

中龍通湖南研發(fā)智造總部基地封頂，將年產(chǎn)1.2億只射頻模組

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