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京都大學研究組開發(fā)出新型功率半導體材料“金紅石型GeO2基半導體”

第三代半導體關鍵材料研發(fā)商蘇州漢驊完成數(shù)億元B輪募資

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所2023年碩士研究生招生簡章

韓科研團隊研發(fā)新一代半導體氣敏傳感器

深圳大學劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關型PGaN柵極HEMT

外媒：SK海力士子公司Solidigm計劃計劃投資超過1億美元在美建半導體研發(fā)中心

天岳先進：公司8英寸碳化硅襯底研發(fā)進展順利

南京大學科研團隊在下一代光電芯片制造領域獲重大突破！

天岳先進：已自主研發(fā)出2-6英寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術

科技部等二十二部門聯(lián)合發(fā)布《科研失信行為調查處理規(guī)則》

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設備

面向可重構整流電路的互補型柵控PN結電路研究

三星電子將發(fā)布2050碳中和目標將研發(fā)低耗高效的半導體

高導熱金剛石/銅復合材料的制備與界面調控研究進展

美國商務部發(fā)布其芯片投資計劃戰(zhàn)略，補貼本土芯片制造及擴大研究

銀河微電：目前汽車上應用碳化硅MOSFET，該類器件目前仍在研發(fā)中

格科微于募投項目12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產業(yè)化項目投產

哈爾濱工業(yè)大學科研團隊通過選擇性生長方法制備了準垂直金剛石肖特基二極管

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試分析

中微創(chuàng)芯高端智能功率模塊制造及功率芯片研發(fā)項目青島奠基

國家重點研發(fā)計劃稀土新材料項目落戶東營

中科院合肥研究院安光所團隊在高分辨率激光外差光譜技術研究方面取得新進展

理想汽車功率半導體研發(fā)及生產基地在蘇州高新區(qū)啟動建設

美國國防部在“創(chuàng)新超越5G”計劃下啟動三個新的研發(fā)項目

郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應

第四屆第三代半導體材料及裝備發(fā)展研討會成功召開

理想攜手三安光電共建汽車功率半導體研發(fā)及生產基地，2024年正式投產

華潤微獲181家機構調研：晶圓制造處于滿產狀態(tài)，第三代半導體領域顯著進步！

山東大學新一代半導體材料研究院汞探針測試儀采購項目二次競爭性磋商公告

第十七屆全國MOCVD學術會議院士專家到中北大學調研考察

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