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湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

“雙碳”驅(qū)動(dòng)下，碳化硅站上風(fēng)口！

晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體，將提升在第三代半導(dǎo)體材料端的競爭力

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

年產(chǎn)10萬片碳化硅襯底項(xiàng)目投產(chǎn)

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

國聯(lián)萬眾發(fā)布研發(fā)項(xiàng)目環(huán)評(píng)報(bào)告表碳化硅高壓功率模塊研發(fā)項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年1月開工

小鵬G9上市在即，采用800V碳化硅高壓電驅(qū)平臺(tái)！高壓快充路線受青睞！

上海微系統(tǒng)所等實(shí)現(xiàn)硅基異質(zhì)集成的片上量子點(diǎn)發(fā)光

三安光電：湖南三安碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正在穩(wěn)步推進(jìn)中

突破！一次擴(kuò)徑技術(shù)，碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸！

盛美上海推出新型預(yù)清洗設(shè)備適用于硅片和碳化硅襯底制造

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

獲數(shù)千萬元投資！瀚天天成碳化硅產(chǎn)線年底將增加至50條產(chǎn)線

瞻芯電子六英寸碳化硅(SiC) 芯片車規(guī)級(jí)工廠投片一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能30萬片

超芯星6英寸碳化硅襯底進(jìn)入美國高端市場

新研究顯示立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導(dǎo)體材料

中科院上海微系統(tǒng)所團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)基于III-V族量子點(diǎn)確定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子學(xué)芯片

CASA立項(xiàng)《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

“上車、逐光”碳化硅產(chǎn)業(yè)雙通道加速跑，襯底和外延是最大掣肘！

中科院半導(dǎo)體所在硅基鍺錫中紅外探測(cè)器方面取得進(jìn)展

突破8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)關(guān)鍵難題，與國際差距在2~3年之內(nèi)！

碳化硅8英寸雙線圈感應(yīng)爐，恒普科技重磅發(fā)布兩個(gè)新爐型

碳化硅功率器件在車載充電機(jī) OBC中的應(yīng)用簡述

碳化硅百億美元賽道，SiC器件市場規(guī)模有望迎來增速最快的三年周期

寧德時(shí)代投資碳化硅（SiC）晶片企業(yè)重投天科

寧德時(shí)代投資半導(dǎo)體碳化硅晶片研發(fā)商重投天科

半導(dǎo)體硅片發(fā)展風(fēng)頭正勁！

有研硅科創(chuàng)板IPO成功過會(huì)

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