近日，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司（以下簡稱“國聯(lián)萬眾”）公示碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發(fā)項目環(huán)評報告表。
國聯(lián)萬眾成立于2015年3月，注冊資金12978萬元，由中國電子科技集團公司第十三研究所控股，中國電子科技集團公司、北京市投資公司、順義區(qū)投資公司、骨干團隊合伙制平臺等股東參股。公司主營業(yè)務為第三代半導體氮化鎵/碳化硅芯片、器件，其中氮化鎵射頻功放芯片已成為埃賦?。ˋmpleon）供應商；公司研發(fā)生產的碳化硅電力電子二極管產品已投入市場；MOSFET已開發(fā)出產品，正在為格力、比亞迪等公司提供產品試用。
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根據(jù)環(huán)評報告表，國聯(lián)萬眾碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發(fā)項目，為第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地擴建項目，總投資額31302.34萬元，用地3000平方米，主要研發(fā) 3300VMOSFET 芯片及3300V 高壓功率模塊封裝技術，預計將于2023年1月開工，建設周期為五年。
目前，該公司第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目（一期）為在建項目，主要進行第三代半導體材料研發(fā)及制造生產、第三代半導體材料及器件的生產。
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