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三安光電碳化硅產(chǎn)品獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證，預(yù)計(jì)將加速該類產(chǎn)品的客戶導(dǎo)入

英特爾測(cè)試完成以現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制程生產(chǎn)量子運(yùn)算芯片，良率95%！

智新半導(dǎo)體已研制出基于第3代半導(dǎo)體碳化硅的功率模塊

臺(tái)積電積極布局第三代半導(dǎo)體，二代硅基GaN技術(shù)平臺(tái)年內(nèi)完成

碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目核心設(shè)備進(jìn)場(chǎng) 平頂山電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工

合肥世紀(jì)金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目投產(chǎn)！

總投資3億元！元山電子推進(jìn)60萬只全碳化硅功率模塊項(xiàng)目建設(shè)

安森美在捷克共和國(guó)擴(kuò)建碳化硅工廠

天岳先進(jìn)：公司8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展順利

爍科晶體：奔跑在碳化硅半導(dǎo)體材料創(chuàng)新前沿

第三代半導(dǎo)體投資：碳化硅如何引領(lǐng)“芯”浪潮

天岳先進(jìn)：已自主研發(fā)出2-6英寸半絕緣型及導(dǎo)電型碳化硅襯底制備技術(shù)

行業(yè)龍頭大幅擴(kuò)產(chǎn) 關(guān)注碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)會(huì)

東尼電子：年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目預(yù)計(jì)2023年11月達(dá)產(chǎn)

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長(zhǎng)集成

中電科實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)高壓碳化硅MOSFET批量生產(chǎn)

Wolfspeed 將建造全球最大碳化硅材料工廠

碳化硅功率器件需求急增

銀河微電：目前汽車上應(yīng)用碳化硅MOSFET，該類器件目前仍在研發(fā)中

東微半導(dǎo)體基于碳化硅實(shí)現(xiàn)高耐壓半導(dǎo)體器件制造方案

株洲中車時(shí)代電氣：目前有每年2.5萬片碳化硅芯片的產(chǎn)能

WOLFSPEED：?使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

“雙碳”驅(qū)動(dòng)下，碳化硅站上風(fēng)口！

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，將提升在第三代半導(dǎo)體材料端的競(jìng)爭(zhēng)力

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

年產(chǎn)10萬片碳化硅襯底項(xiàng)目投產(chǎn)

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

國(guó)聯(lián)萬眾發(fā)布研發(fā)項(xiàng)目環(huán)評(píng)報(bào)告表碳化硅高壓功率模塊研發(fā)項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年1月開工

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