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CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

總投資55億！碳化硅產業(yè)園項目落地內蒙古

CSPSD 2025前瞻|東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET關鍵技術新進展

CSPSD 2025前瞻|山東大學彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質散熱結構的器件應用研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領——化學氣相法碳化硅襯底技術創(chuàng)新開啟未來產業(yè)新紀元

基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

泰科天潤“一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

投資3.9億元，同光科技年產7萬片碳化硅單晶襯底項目

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質量

ULVAC中國總裁楊秉君：車規(guī)級碳化硅市場發(fā)展正當時，將持續(xù)深耕中國市場

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質量

碳化硅外延供應商瀚天天成沖刺港交所

2025新能源汽車增速拐點將至，碳化硅行業(yè)亟需開辟第二戰(zhàn)場

魯晶半導體與山東大學共建碳化硅功率器件產學研合作新生態(tài)

金威源與杰平方正式簽署碳化硅戰(zhàn)略合作

12英寸碳化硅襯底實現(xiàn)激光剝離

山西中電科公司新研碳化硅化學氣相沉積裝備技術指標達到行業(yè)領先水平

天科合達申請在坩堝內部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

西湖儀器：實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

全球首發(fā)！天岳先進攜全系列12英寸碳化硅襯底產品震撼登場SEMICON China 2025

臻晶半導體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術，全新解決方案引領行業(yè)潮流！

江蘇超芯星半導體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產成本

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

超高壓碳化硅大功率芯片項目簽約

超高壓碳化硅大功率芯片項目成功簽約！

安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

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